图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 MMDF2N02E |
| 文档 |
Multiple Devices 14/Apr/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 532pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
MMDF2N02ER2G也可以通过以下分类找到
MMDF2N02ER2G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家